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教學(xué)設(shè)備北京高低溫試驗(yàn)_高低溫測(cè)試

時(shí)間:2022-09-21 12:40:31 點(diǎn)擊次數(shù):504
 

114檢測(cè)網(wǎng)(http://www.test114.com.cn)提供可靠性試驗(yàn)、電磁兼容測(cè)試、IP防護(hù)等級(jí)測(cè)試、高低溫振動(dòng)沖擊試驗(yàn)、鹽霧測(cè)試、低氣壓試驗(yàn)、雷擊試驗(yàn)、防塵防水等服務(wù),實(shí)驗(yàn)室已獲國(guó)家級(jí)CNAS、CMA資質(zhì)認(rèn)可,出具產(chǎn)品檢測(cè)報(bào)告

高低溫試驗(yàn)測(cè)試是用來(lái)確定產(chǎn)品在高溫氣候環(huán)境條件下儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用的適應(yīng)性的方法。高低溫試驗(yàn)的嚴(yán)苛程度取決于高溫的溫度和曝露持續(xù)時(shí)間。

高低溫放置試驗(yàn)顧名思義即為高溫貯存和低溫貯存試驗(yàn)。全民檢測(cè)高低溫試驗(yàn)依據(jù)按照GB/T2423.1和GB/T2423.2標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)。

高溫貯存試驗(yàn):電子設(shè)備擱置在溫度試驗(yàn)箱中,設(shè)備處于斷電狀態(tài),高溫貯存結(jié)束后,進(jìn)行通電測(cè)試;

低溫貯存試驗(yàn):電子設(shè)備擱置在溫度試驗(yàn)箱中,設(shè)備處于斷電狀態(tài),低溫貯存結(jié)束后,進(jìn)行通電測(cè)試。

高低溫試驗(yàn)測(cè)試流程:

1、在樣品斷電的狀態(tài)下,先將溫度下降到-50°C,保持4個(gè)小時(shí);

請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試,非常重要,因?yàn)橥姞顟B(tài)下,芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度,所以,在通電狀態(tài)下,通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試,必須先將其凍透,再次通電進(jìn)行測(cè)試。

2、開機(jī),對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試,對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

3、進(jìn)行老化測(cè)試,觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

4、升溫到+90°C,保持4個(gè)小時(shí),與低溫測(cè)試相反,升溫過(guò)程不斷電,保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài),4個(gè)小時(shí)后,執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。

5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài),則視為測(cè)試失敗。

高低溫試驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn):

GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法

GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法

GB/T2423.22-2002試驗(yàn)N:溫度變化試驗(yàn)方法

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